Projeto de absorvedores de micro-ondas do tipo banda dupla usando superfícies seletivas em frequência

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2022
Autor(a) principal: Maia, Anamaria Sena
Orientador(a): Campos, Antônio Luiz Pereira de Siqueira
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal do Rio Grande do Norte
Programa de Pós-Graduação: PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA E DE COMPUTAÇÃO
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Brasil
Palavras-chave em Português:
Área do conhecimento CNPq:
Link de acesso: https://repositorio.ufrn.br/handle/123456789/51294
Resumo: Atualmente os projetos desenvolvidos em sistemas de redes wireless têm colocado em evidência os estudos de confinamento de sinais. Isto se deve à necessidade de aumentar a segurança e restringir o uso dos serviços nos quais os dados das redes devem ser mantidos apenas no local de uso e sem interferências externas. Nesse contexto, pesquisas são desenvolvidas utilizando absorvedores de micro-ondas com superfícies seletivas em frequência (Frequency Selective Surfaces – FSS) como forma de permitir a redução das interferências eletromagnéticas (Electromagnetic Interference- EMI) e manter a conformidade dos sistemas. Com características e desempenho distintos dos absorvedores passivos convencionais de Salisbury e Jaumann que apresentam boa absorção na banda desejada, mas com baixa transmissão nas demais faixas. Os absorvedores seletivos em frequência (Frequency Selective Absorber -FSA) possuem transparência às ondas eletromagnéticas na banda passante enquanto absorvem nas frequências desejadas. Neste trabalho projetou-se e desenvolveu-se um FSA com absorção eficiente em banda dupla. A estrutura proposta é composta de três camadas FSS, em que os sinais refletidos pela camada condutiva nas frequências de 2,5 GHz e 5,5 GHz (bandas ISM e U-NII) são absorvidos na mesma ordem. Visto que, as células unitárias FSS condutivas são compostas por espiras quadradas duplas sob um substrato FR-4, as camadas resistivas são em espiras quadradas simples sob placas com resistividade de 50 ohms por quadrado. O absorvedor desenvolvido apresenta espessura de 0,16 λ para a faixa de absorção em menor frequência com largura de banda de 860 MHz, enquanto na frequência maior apresenta largura de banda de 2 GHz. Os resultados experimentais estão de acordo com os resultados numéricos das simulações, mostrando uma absortividade de mais de 90% em 2,5 e 5,5 GHz, cobrindo inteiramente as bandas ISM e U-NII desejadas.