Aspectos teóricos e numéricos no desenvolvimento de um simulador do modelo de deriva-difusão em semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa:	2018
Autor(a) principal:	Ribeiro, Felipe Senra
Orientador(a):	Não Informado pela instituição
Banca de defesa:	Não Informado pela instituição
Tipo de documento:	Dissertação
Tipo de acesso:	Acesso aberto
Idioma:	por
Instituição de defesa:	Universidade Federal do Rio de Janeiro Brasil Instituto Alberto Luiz Coimbra de Pós-Graduação e Pesquisa de Engenharia Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica UFRJ
Programa de Pós-Graduação:	Não Informado pela instituição
Departamento:	Não Informado pela instituição
País:	Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:	Engenharia elétrica Equações de Deriva-Difusão Sistemas a parâmetros distribuídos Análise numérica CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA
Link de acesso:	http://hdl.handle.net/11422/11558
Resumo:	The work carried out in the dissertation refers specifically to the modeling and simulation of semiconductor devices, through numerical solutions of the diffusiondiffusion equations using the methods of finite difference, finite element and Monte Carlo. Some simulations are presented to demonstrate theoretical and numerical aspects of the area by using devices such as MOSFET and Tyristor.

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