Crescimento de nanofios semicondutores de óxido de zinco por deposição química na fase vapor

• Ano de defesa: 2006
• Autor(a) principal: Leonardo Cristiano Campos
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais; UFMG
• Palavras-chave em Português: Nanofios de oxido de zinco; Sistemas nanoestruturados; Nanotecnologia; Nanofios; Física
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9LGT

Este trabalho estuda o crescimento de nanofios de óxido de zinco (ZnO) por deposição química na fase vapor. Um novo modelo de crescimento a partir das fases gasosa e sólida foi proposto para este material, podendo ser estendido para explicar o crescimento de nanofios de outros materiais em condições termodinâmicas similares. Da mesma forma uma nova técnica de produção de nanofios foi criada a partir desse modelo. Estudos sobre o crescimento alinhado de nanofios de ZnO em substrado de safira<110> foram realizados. Através desses estudos, foi medido diretamente pela primeira vez a epitaxia entre os nanofios e o substrato, no qual foi provado o alinhamento vertical e facial dos nanofios de ZnO sobre a safira.