Bipolaritons em uma microcavidade semicondutora

• Ano de defesa: 2006
• Autor(a) principal: Leandro Malard Moreira
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais; UFMG
• Palavras-chave em Português: Semicondutora; Física; Acoplamentos Fótons Biéxcitons; Bipolaritons; Microcavidade semicondutora; Arseneto de gálio
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9PQ4

Nesta dissertação estudamos a emissão de bipolaritons em uma micricavidade semicondutora. Bipolaritons são formados pelo acoplamento forte entre fótons e biexcitons presentes no poço quântico de GaAs dentro da microcavidade. Através de medidas de fotoluminescência, foi possível mostrar que a emissão de bipolaritons acontece quando dessintonizamos a cavidade com relação a energia do éxciton. Pequenas larguras de linhas foram medidas, da ordem de 150 ?eV e alta intensidade de emissão. Através de medidas mudando-se a polarização do laser de bombeio, pudemos verificar as regras de seleção para ciração de biexcitons em poços quânticos.