Pontos quânticos de InAs em GaAs crescidos usando Te como surfactante.

• Ano de defesa: 1997
• Autor(a) principal: Gustavo de Almeida Magalhaes Safar
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais; UFMG
• Palavras-chave em Português: Fisica; Cristais Crescimento; Nanoestrutura; Arsenieto de galio; Semicondutores; Nanotecnologia; Optoeletronica; Física
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9GJNT3

Nous avons fabriqué des échantillons de Te/GaAs par croissance par jets moleculaires et examiné par RHEED et RBS, sous des differentes conditions de traitement thérmique. Des échantillons de InAs/Te/GaAs et InAs/GaAs ont été examinés par la téchnique de microscopie de force atomique, avec des differentes couvertures de InAs et Te. Des points quantiques auto-organisés de InAs en GaAs, avec et sans Te, ont été obtenus et mesurés par photoluminescence. Nous avons conclu que le Te modifie la croissance epitaxialle du InAs sûr le GaAs, aussi bien que le signal de photoluminescence des échantillons de points quantiques de InAs en GaAs.