Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros

• Ano de defesa: 1969
• Autor(a) principal: Nilton Penha Silva
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Minas Gerais; UFMG
• Palavras-chave em Português: Física; Fisica do estado solido; Semicondutores
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ

Usando o método das ondas planas simetrizadas e um modêlo simples de potencial, a três parâmetros, que consiste de poços retangulares, envolvendo cada átomo e um potencial delta repulsivo, centrado nos núcleos, simulamos os semicondutores PbTe, PbSe e PbS. Os resultados para as bandas de energia estão em concordância com os dados experimentais. A mesma natureza para as transições nos três compostos é encontrada, em compatibilidade com a relação experimental entre elas e o parâmetro da rêde cristalina.