Propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs em nanomembranas semicondutoras

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa:	2014
Autor(a) principal:	Barbara Luiza Teixeira Rosa
Orientador(a):	Não Informado pela instituição
Banca de defesa:	Não Informado pela instituição
Tipo de documento:	Dissertação
Tipo de acesso:	Acesso aberto
Idioma:	por
Instituição de defesa:	Universidade Federal de Minas Gerais UFMG
Programa de Pós-Graduação:	Não Informado pela instituição
Departamento:	Não Informado pela instituição
País:	Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:	Pontos quânticos Fotoluminescência Nanomembranas Estados excitados Regiões de depleção Física
Link de acesso:	http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9NBGLE
Resumo:	In this work we study how the optical properties of InAs quantum dots embedded in III-V semiconductor nanomembranes are a_ected by the neighborhood of the two symmetrically located sample surfaces. Photoluminescence measurements show that the creation of the nanomembranes increase the electron-hole recombination probability of the excited states of the quantum dots, relative to the emission prior to the fabrication of the nanomembranes. This behavior is explained considering the depletion layers induced by the surfaces of the nanomembrane.

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