Distribuições estatísticas em modelos para cresimento de filmes finos

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2010
Autor(a) principal: Oliveira, Tiago José de
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Programa de Pós-graduação em Física
Física
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://app.uff.br/riuff/handle/1/19101
Resumo: Epitaxial growth is widely used in thin film production, with great technological relevance. in order to understand the microscopic processes occuring in the growth process, the main theoretical approaches is the Monte Carlo simulation of atomistic models. In this thesis we study numerically two regimes of the epitaxial growth: the submonolayer (less than one deposited layer) and the dynamic scaling (films with many atomic layers) regimes. Considering models with irreversible aggregation in the submonolayer regime, we study islands size and capture zone distributions. Calculating very accurate distributions of analytic approaches. In the dynamic scaling regime, we study distributions of local (height) and global (roughness and extremes) quantities in the steady state. We analyze universality and finite size effects in those distributions.