Distribuições estatísticas em modelos para cresimento de filmes finos
Ano de defesa: | 2010 |
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Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Tese |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Programa de Pós-graduação em Física
Física |
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | https://app.uff.br/riuff/handle/1/19101 |
Resumo: | Epitaxial growth is widely used in thin film production, with great technological relevance. in order to understand the microscopic processes occuring in the growth process, the main theoretical approaches is the Monte Carlo simulation of atomistic models. In this thesis we study numerically two regimes of the epitaxial growth: the submonolayer (less than one deposited layer) and the dynamic scaling (films with many atomic layers) regimes. Considering models with irreversible aggregation in the submonolayer regime, we study islands size and capture zone distributions. Calculating very accurate distributions of analytic approaches. In the dynamic scaling regime, we study distributions of local (height) and global (roughness and extremes) quantities in the steady state. We analyze universality and finite size effects in those distributions. |