Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2005 |
| Autor(a) principal: |
SOUZA, Leandro Rodrigues de
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| Orientador(a): |
SOARES, Demétrio Artur Werner
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| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Itajubá
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| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Materiais para Engenharia
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| Departamento: |
IEM - Instituto de Engenharia Mecânica
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| País: |
Brasil
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| Palavras-chave em Português: |
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| Área do conhecimento CNPq: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3220
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Resumo: |
Os pontos quânticos autogerados têm despertado muito interesse em pesquisas básicas e aplicadas. Neste trabalho, medidas de resistividade pelo método de van der Pauw e de efeito Hall são realizadas para obter a mobilidade de uma série de amostras de superredes de InAs/GaAs crescidas por Epitaxia de Feixes Moleculares no modo Stranski-Kastranov e contendo pontos quânticos de InAs. Efetuamos também medidas I(V) com alimentação DC. Três parâmetros de crescimento foram variados: a cobertura de InAs, o número de repetições das multicamadas de InAs/GaAs e a espessura do espaçador de GaAs. As medidas foram realizadas em uma faixa de temperatura de 5 a 310 K. Os resultados indicam amostras com baixa resistividade e dependência da mobilidade em relação à temperatura, que foi ajustada de forma a avaliar a aplicabilidade dos modelos de espalhamentos conhecidos. Devido ao confinamento quântico na interface entre InAs e GaAs, todos os mecanismos de espalhamento utilizados consideraram um gás bidimensional de elétrons. Os mecanismos de espalhamento considerados foram: espalhamento por deformação de potencial e piezelétrico, por fônons acústicos, por fônons ópticos polares e espalhamento por impurezas ionizadas. O espalhamento por impurezas ionizadas revela-se dominante às baixas temperaturas e o espalhamento por fônons ópticos polares, às altas temperaturas. O modelo de espalhamento por impurezas ionizadas fornece uma estimativa da concentração de impurezas. A análise da concentração de portadores evidenciou que propriedades como forma, tamanho, peso específico e simetria dos pontos quânticos têm maior influência nas propriedades elétricas às baixas temperaturas, abaixo de 30 K. A caracterização I(V) evidenciou comportamentos elétricos não lineares para altas intensidades de campo elétrico aplicado e sob excitação de radiação infravermelha. |
