Uma referência de tensão CMOS integrada utilizando transistor composto cascode e diodo Schottky

• Ano de defesa: 2020
• Autor(a) principal: BRITO, Thaironi Menezes de
• Orientador(a): MORENO, Robson Luiz
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Itajubá
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
• Departamento: IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: Referência de tensão; Diodo Schottky; Self-cascode composite transistor; Baixo consumo
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::INSTRUMENTAÇÃO ELETRÔNICA::MICROELETRÔNICA
• Link de acesso: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2222

Este trabalho apresenta o estudo da performance em temperatura de self-cascode composite transistors (SCCTs) e do diodo Schottky com o objetivo de gerar as tensões PTAT e CTAT, respectivamente, que compõem uma referência de tensão compensada na temperatura. O estudo dos SCCTs também mostrou ser possível obter uma tensão compensada apenas ajustando a dimensão e o ponto de operação dos transistores que formam o SCCT. A referência foi projetada baseada nestes resultados e fabricada em um processo CMOS 130 nm. O circuito ocupa uma área de 67,98 μm x 161,7 μm. Para validação do projeto, o circuito foi medido com a variação de temperatura e tensão de alimentação. Um circuito de ajuste também foi projetado para ajustar o coeficiente de temperatura da referência (TC). A tensão de saída média obtida foi de 720 mV em um VDD de 1,1 V. O TC médio obtido foi 56 ppm/ºC em uma faixa de temperatura de -40 a 85 ºC. O circuito opera em uma faixa e tensão de alimentação de 1,1 a 2,5 V. O consumo do circuito é de 750 nW.