Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2005 |
| Autor(a) principal: |
GASPAR, Everaldo Simões
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| Orientador(a): |
SILVA, Luiz Eduardo Borges da
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| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Itajubá
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| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
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| Departamento: |
IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
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| País: |
Brasil
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| Palavras-chave em Português: |
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| Área do conhecimento CNPq: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3234
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Resumo: |
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um equipamento testador de semicondutores de potência, dos tipos diodos e tiristores. Estes semicondutores são utilizados extensivamente em compensadores estáticos de reativos. São apresentados os fundamentos teóricos sobre estes dispositivos e os parâmetros necessários para a análise de degradação relativas as características de bloqueio direto (para tiristores) e reverso (para diodos e tiristores). O desenvolvimento dos circuitos de teste são também demonstrados, assim como o software de controle do equipamento. O conjunto hardware/software deste instrumento permite a execução automática dos testes, aquisitando e arquivando dados resultantes de cada ensaio destes semicondutores. Com base nos resultados destes testes, uma metodologia de análise de degradação é proposta, classificando os componentes como em três estados de operação possíveis: bom, defeituoso ou falho. A influência da temperatura nas características de bloqueio é também analisada. |
