Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2012 |
| Autor(a) principal: |
PIVOTO, Alex Sander de Magalhães |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
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| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
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| Departamento: |
IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Link de acesso: |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1065
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Resumo: |
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um circuito low-voltage e low-power para aplicações em microeletrônica como sensor de temperatura, com o objetivo de atuar na proteção térmica de transistores de potência tipicamente aplicados em produtos voltados para o ambiente industrial, no chaveamento de cargas. A topologia proposta por este estudo para o transistor MOS em inversão fraca, tem como grande característica a linearidade da tensão VDS com a variação da temperatura (PTAT), sendo este o ponto explorado neste trabalho. A alimentação do circuito deve ser realizada através de uma fonte de alimentação externa ajustada para 1 [V]. Através do arranjo dos transistores, um nível de tensão, em [mV], varia linearmente com a alteração da temperatura. Quando acontece um aquecimento excessivo, acima do ponto ajustado no circuito, um mecanismo de proteção pode desligar a operação do circuito, ou pelo menos sinalizar para uma operação específica. O circuito apresenta operação linear entre a faixa de -20 a +120 [ºC], e pode ser ajustado para detectar qualquer temperatura neste intervalo. O circuito proposto foi desenvolvido para baixa tensão e baixa potência de operação, em tecnologia TSMC 0.35um. |
