Desenvolvimento de um amplificador CMOS totalmente integrado para operar em 1.8Ghz

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2004
Autor(a) principal: VILASBOAS, Felipe Ribeiro Campos lattes
Orientador(a): PIMENTA, Tales Cleber lattes
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Itajubá
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
Departamento: IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
País: Brasil
Palavras-chave em Português:
Área do conhecimento CNPq:
Link de acesso: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3482
Resumo: Esse trabalho descreve o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) que foi implementado em tecnologia CMOS de 0,35µm. O circuito irá operar na faixa de freqüência de 1805 MHz a 1820 MHz, correspondente a Banda D de telefonia celular no Brasil. O LNA é totalmente integrado, inclusive os indutores que foram implementados usando uma das camadas de metal oferecidas pelo processo. Foi utilizada uma arquitetura de dois estágios para prover ganho suficiente e prover um ótimo isolamento entre a entrada e a saída.