Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2004 |
Autor(a) principal: |
VILASBOAS, Felipe Ribeiro Campos
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Orientador(a): |
PIMENTA, Tales Cleber
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Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Itajubá
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Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
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Departamento: |
IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
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País: |
Brasil
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Palavras-chave em Português: |
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Área do conhecimento CNPq: |
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Link de acesso: |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3482
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Resumo: |
Esse trabalho descreve o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) que foi implementado em tecnologia CMOS de 0,35µm. O circuito irá operar na faixa de freqüência de 1805 MHz a 1820 MHz, correspondente a Banda D de telefonia celular no Brasil. O LNA é totalmente integrado, inclusive os indutores que foram implementados usando uma das camadas de metal oferecidas pelo processo. Foi utilizada uma arquitetura de dois estágios para prover ganho suficiente e prover um ótimo isolamento entre a entrada e a saída. |