Avaliação da degradação de semicondutores de potência com o uso contínuo em compensadores estáticos

• Ano de defesa: 2004
• Autor(a) principal: CALAZANS, Adolpho Eugenio de Andrade Lima
• Orientador(a): SILVA, Luiz Eduardo Borges da
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Itajubá
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
• Departamento: IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: Semicondutores; Compensadores estáticos; Defeito; Falha; Manutenção preventiva
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA
• Link de acesso: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3476

Os compensadores estáticos são equipamentos de grande importância para os sistemas elétricos de potência. A evolução tecnológica tem permitido, cada vez mais, viabilizar estes equipamentos como uma das alternativas para a solução de muitos dos problemas encontrados nos sistemas elétricos de diferentes complexidades. No entanto, pouco se conhece sobre a degradação dos semicondutores de potência com o uso contínuo nos compensadores estáticos. O presente trabalho tem como objetivo apresentar uma metodologia para a avaliação da degradação dos semicondutores de potência, aplicados em compensadores estáticos dos tipos capacitores chaveados por tiristores (CCT) e reatores controlados a tiristores (RCT), que resulte na melhoria do desempenho operacional desses equipamentos, como também, apresentar os resultados dos ensaios realizados em semicondutores com diferentes estados de degradação e, como a temperatura da junção influencia na capacidade de bloqueio dos semicondutores. Na primeira parte do trabalho, foram feitas considerações gerais sobre a importância do desenvolvimento de pesquisas, que permitam a avaliação da degradação dos semicondutores de potência aplicados em compensadores estáticos, especialmente considerando a atual regulamentação do setor elétrico brasileiro. Avaliação da Degradação de Semicondutores de Potência Com o Uso Contínuo em Compensadores Estáticos Universidade ederal de Itajubá vii O capítulo 2 apresenta os benefícios que a instalação dos compensadores estáticos proporciona para os sistemas elétricos de potência. Em seguida, no capítulo 3 são apresentados os principais tipos e arranjos de compensadores estáticos, bem como é feita uma descrição dos compensadores estáticos que fizeram parte das pesquisas. No capítulo 4 é feita uma avaliação do desempenho operacional dos compensadores estáticos que fizeram parte das pesquisas, abordando questões relativas à taxa de falha dos semicondutores e à disponibilidade operacional, comparando este último indicador com os dados fornecidos em pesquisa realizada pelo CIGRÉ. O capítulo 6 apresenta a análise e classificação das falhas encontradas em alguns semicondutores retirados de operação das válvulas de compensadores estáticos, sendo esta análise precedida, no capítulo 5, de uma breve recapitulação da teoria dos semicondutores, com a descrição das principais características elétricas desses dispositivos. Seguidamente, no capítulo 7, são apresentados os conceitos para a classificação dos semicondutores em diferentes estados de degradação, definidos que parâmetros que devem ser utilizados para a avaliação da degradação dos semicondutores e, finalmente, a descrição do instrumento de ensaios utilizado nas pesquisas. Avaliação da Degradação de Semicondutores de Potência Com o Uso Contínuo em Compensadores Estáticos Universidade ederal de Itajubá viii O capítulo 8 apresenta os resultados das análises dos ensaios realizados nas pesquisas, mostrando as formas de onda da tensão e da corrente de semicondutores em diferentes estados de degradação, e como a temperatura influencia a capacidade de bloqueio desses semicondutores. Finalmente, no capítulo 9, são apresentadas as conclusões e recomendações desta dissertação, bem como a proposição de novos trabalhos para darem seguimento às pesquisas para a avaliação da degradação dos semicondutores de potência.