Investigação das propriedades elétricas em poços quânticos de PbTe do tipo p

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2020
Autor(a) principal: MORAIS, Eliane Aparecida lattes
Orientador(a): PERES, Marcelos Lima lattes
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Itajubá
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Física
Departamento: IFQ - Instituto de Física e Química
País: Brasil
Palavras-chave em Português:
Área do conhecimento CNPq:
Link de acesso: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2364
Resumo: Neste trabalho foram investigadas as propriedades de transporte elétrico e o efeito Rashba em poços quânticos PbTe/Pb0.9Eu0.1Te do tipo p, com e sem dopagem de BaF2, com 10nm de espessura. As medições foram realizadas na faixa de temperatura de 1.9K a 40K, usando um led azul com comprimento de onda de 460nm e intensidade de 276 mW/m². Nas medições de magnetorresistência para a amostra dopada, com e sem iluminação, observamos que para valores abaixo de B ~ 4 T não há oscilações significativas em qualquer temperatura medida, mas acima de B ~ 4 T há oscilações em temperaturas mais baixas na faixa de 1.9K a 10K e para as temperaturas acima de 15 K as oscilações se tornam evidentes em B ~7 T. Estas oscilações são compostas por três componentes com frequências bem próximas. A concentração de portadores e sua mobilidade também foram analisadas para a amostra na temperatura de 4.2 K, que apresentou uma mínima diminuição na concentração de portadores e um aumento na mobilidade quando iluminada. As medições de magnetorresistência para a amostra não dopada, com e sem iluminação, apresentaram oscilações a partir de B ~ 4 T para as temperaturas na faixa de 1.9 K a 15 K e para temperaturas acima de 20 K as oscilações são bem discretas acima de B ~7 T. Sem iluminação, as oscilações da amostra não dopada são compostas por duas componentes oscilatórias e quando iluminada, são compostas por três componentes com frequências bem diferentes. Na temperatura de 6 K, a amostra não dopada apresentou um aumento na concentração de portadores e uma diminuição da mobilidade quando iluminada. As massas efetivas ciclotrônicas e o fator g de Landé também foram obtidos para as amostras. A análise das frequências encontradas indica o aparecimento do efeito Rashba (ou SO). A amostra dopada apresentou um splitting Rashba dos elipsoides maior do que a da amostra não dopada, chegando a 50%. A energia de Rashba encontrada para a amostra dopada foi de 13meV.