Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2004 |
Autor(a) principal: |
FERREIRA, Luis Henrique de Carvalho
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Orientador(a): |
PIMENTA, Tales Cleber
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Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Itajubá
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Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
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Departamento: |
IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
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País: |
Brasil
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Palavras-chave em Português: |
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Área do conhecimento CNPq: |
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Link de acesso: |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3403
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Resumo: |
O termo baixa tensão começou a ser empregado na literatura CMOS para os circuitos analógicos e digitais que trabalhavam com tensões de alimentação abaixo de 3V, em processos cuja alimentação nominal era, no mínimo, de 5V. Com a tendência de operação em baixa tensão e baixa potência, a resposta em freqüência, a tensão de alimentação e o consumo são as especificações principais no projeto dos circuitos, em especial, os analógicos. Porém, a maior limitação para a implementação de circuitos em baixa tensão é a tensão threshold. Uma vez que a tensão threshold não regride de forma satisfatória, criou-se a necessidade de buscar novas arquiteturas que minimizem os seus efeitos. Esse trabalho apresenta uma nova e simples topologia para o Miller OTA com excursão de sinal de pólo-a-pólo da fonte de alimentação em ultra-baixa tensão e ultra-baixa potência, com o par diferencial na configuração acionado pelo substrato e deslocadores DC de tensão. Para esse desenvolvimento é apresentada uma metodologia para a determinação dos parâmetros DC do modelo BSIM3v3. Também é apresentada uma metodologia para o projeto do circuito, onde há uma maior otimização da especificação no comportamento do transitório do sinal na saída, segundo o modelo AC em pequenos sinais. Com os transistores operando em inversão fraca, essa topologia é capaz de operar numa tensão de alimentação de apenas 600mV com um consumo de 550nW para um processo de CMOS TSMC 0,35μm padrão. |