Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2017 |
| Autor(a) principal: |
BOLAÑOS, Luis Miguel Vargas |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
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| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Física
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| Departamento: |
IFQ - Instituto de Física e Química
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Link de acesso: |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1001
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Resumo: |
Neste trabalho, foi investigado o efeito de fotocondutividade em filmes semicondutores de Zn₁₋ₓCdₓO crescidos por meio da técnica de Spray Pyrolysis (SP), variando “x” de 0,0 a 1,0. Foram realizados estudos de fotocondutividade, utilizando LED comercial com irradiação na faixa espectral do azul com energia 2,70eV, variando a temperaturas entre 77K e 300K, no Laboratório de Caracterização Eletro-óptica da Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI). Foi possível observar o efeito de fotocondutividade persistente (PPC) em todas as amostras da série e, além disso, a presença de uma transição de fotocondutividade positiva (PC) para negativa (NPC) com aumento das concentrações de Cd. Foram realizadas análises estruturais e morfológicos para verificar a influência do efeito de desordem das amostras nos efeitos de fotocondutividade. A partir da técnica de Microscopia de Força Atômica (AFM), para as amostras com concentração de x = 0;0 até 1;0 no Laboratório Associado de Sensores e Materiais (LAS) do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE), foram obtidas imagens da superfície das amostras com uma área de varredura de 10x10μm² e sua rugosidade. Também foram feitas análises de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), e observou-se que para a amostra com x = 0;25 as partículas estão distribuídas quase homogeneamente diferentemente das demais amostras. Essa amostra de x = 0;25 foi a que apresentou maior sensibilidade à luz e com um sinal quase livre de ruído em uma ampla faixa de temperatura. Além disso, foi observado que para temperaturas menores de 200K o efeito de persistência já não é mais notável. Após análise detalhada dos dados experimentais, foi verificado neste trabalho que o efeito de fotocondutividade persistente ocorre devido aos defeitos intrínsecos presente no óxido de zinco. Esses defeitos são reforçados pela introdução de átomos de Cd. A transição de positiva para negativa está relacionada com a desordem introduzida na estrutura do óxido de zinco que afeta os processos de geração e recombinação no sistema. |
