Propriedades eletrônicas, ópticas e vibracionais de nanoestruturas TMDs RuX2(X= S, Se e Te) via DFT.

• Ano de defesa: 2021
• Autor(a) principal: SANTOS, Willian Oliveira.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Campina Grande; Brasil; Centro de Ciências e Tecnologia - CCT; PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA; UFCG
• Palavras-chave em Português: TMD; DFT; CASTEP; Electronic properties; vibrational and thermal; Propriedades eletrônicas; Propiedades electrónicas; vibracionais e térmicas; vibratoria y térmica; Física
• Link de acesso: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/17982

Com descoberta do grafeno em 2004, uma nova linha de pesquisa em materiais bidimensionais foi desenvolvida. Como essa inovação encontramos os materiais dichalcogenetos de metal de transição (TMD) que ficou conhecido como grafeno de última geração uma vez que esses sistemas existem muitos graus de liberdade a serem explorados e compreendido. Neste trabalho, realizamos cálculos ab initio, baseados na teoria do funcional da densidade implementados no código do CASTEP, para compreensão teórica dos sistemas cristalino do tipo RuX2, investigamos as propriedades estruturais, eletrônicas, vibracionais, térmicas e ópticas. Como resultado foi visto que todos os sistemas do tipo RuX2 com ( X= S, Se e Te) apresentam características semicondutora de gap indireto para ambas aproximações GGA e LDA. Além disso, como a estabilidade mecânica é um ponto muito importante no estudo teórico, através do espectro e densidade de estados de fônons, verificamos apenas frequências positivas, confirmando a estabilidade das estruturas. Pelas funções termodinâmicas (entalpia, entropia, energia livre e capacidade térmica) temos indícios de como ocorre o processo de formação da estrutura (livre da impureza e com a impureza). Outro fator importante é a rigidez dos nossos sistemas. Para obter informações sobre ela, a temperatura de Debye foi calculada.