Sistemas quânticos com massa espacialmente variável induzidos por defeitos topológicos.

• Ano de defesa: 2014
• Autor(a) principal: FREITAS, Mayara de Lima.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Campina Grande; Brasil; Centro de Ciências e Tecnologia - CCT; PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA; UFCG
• Palavras-chave em Português: Semicondutores - Física; Junções PNs; Defeitos Geométricos; Coeficientes; Geometria; Semiconductors - Physics; PN Junctions; Geometric Defects; Coefficients; Geometry; Física
• Link de acesso: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9403

A manipulação dos potenciais que agem sobre o elétron em superfícies semicondutoras a partir da criação de heteroestruturas que geram sistemas de massa variável, tem sido de fundamental importância para o desenvolvimento de nanodispositivos eletrônicos. Tais sistemas podem ser obtidos através da dopagem de materiais ou da inserção de defeitos geométricos. Neste trabalho analisamos os efeitos causados nos coeficientes de reflexão e transmissão que uma deslocação em parafuso acarreta em nanoestruturas cilíndricas semicondutoras. Concentramos nosso estudo nos casos em que as mesmas assemelham-se a um degrau potencial e a um poco quântico, observando as similaridades de comportamento entre os defeitos e as junções Pns dopadas, e suas influencias na dinâmica da partícula.