Análise do processo de dessorção de filme metálico induzido por luz em superfície dielétrica.
Ano de defesa: | 2015 |
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Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Campina Grande
Brasil Centro de Ciências e Tecnologia - CCT PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA UFCG |
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/2147 |
Resumo: | Nosso trabalho tem como objeto de estudo as interações entre átomos de césio e uma superfície dielétrica. Essas interações são do tipo vanderwaals, atrativas de longo alcance e do tipo Pauli, repulsiva sem curtas distâncias. Este trabalho é composto pela análise do crescimento de filmes térmicos e a análise da dessorção de filmes induzidos por luz. Procuramos compreender: Como é a organização da sobreposição para formar um filme metálico sobre a superfície. Nós apresentamos os procedimentos utilizados e o aparato experimental para medir a dessorção de filmes induzidos por luz. Descrevemos cada procedimento realizado para obtenção das medidas, bem como as etapas de análise dos resultados. Neste trabalho discutimos os modelos mais conhecidos de adsorção, o modelo de Langmuir e o modelo BET.A partir da análise dos dados experimentais de adsorção térmica, constatamos que os dados se ajustam na descrição de filmes que crescem em multicamadas sobre a superfície. Através da análise das curvas de dessorção de filmes induzidos por luz podemos obter valores da energia de adsorção. A principal pergunta que queremos responder é: qual a energia de adsorção para um filme induzido por luz. Os valores obtidos para a energia de adsorção de filmes induzidos por luz (cerca de 0,80 e V) são maiores que as energias de adsorção física (estas em torno de 0,40 e V-0,50 e V) e perto da energia de condensação do césio. |