Caracterização Estrutural e Óptica da Solução Sólida Nanoestruturada Sn(Se1-xSx) com x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 produzida por Mecano-Síntese

• Ano de defesa: 2020
• Autor(a) principal: Arenillas, Nahuel Oliveira
• Outros Autores: http://lattes.cnpq.br/0592767434323544
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal do Amazonas; Instituto de Ciências Exatas; Brasil; UFAM; Programa de Pós-graduação em Física
• Palavras-chave em Português: Método de Rietveld; Raios X - Difração; Espectrometria UV; Semicondutores SnX2; Estequiometria; CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA; Materiais Termoelétricos; Mecano-Síntese; Difração de Raios X; Espectrometria Ultra Violeta e Visível
• Link de acesso: https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/7755

Os semicondutores SnX2 (onde X = Se, S, Te) têm sido muito estudados nos últimos anos devido às variedades de aplicações para dispositivos eletrônicos, ópticos e optoeletrônicos, além de serem materiais de baixa toxicidade, baixo custo, possuir estrutura em camadas e ter a possibilidade de regular o gap óptico de energia a partir da modificação da proporção de estequiometria do material. Neste cenário este trabalho produziu uma solução sólida nanoestruturada Sn(Se1−xSx) para x = 0, 0,24, 0,5, 0,76 e 1 utilizando a técnica Mecano-Síntese. As amostras foram investigadas utilizando as técnicas de Difração de Raios X, Método de Rietveld, Calorimetria Diferencial de Varredura e Espectrometria Ultra Violeta e Visível onde foi possível constatar que as amostras se formaram com uma estrutura ortorrômbica com microdeformação anisotrópica de 4,9% em média, e verificar que os picos do difratograma se deslocam para a direita á medida que substituímos gradativamente selênio por enxofre na solução. As amostras se mostraram estáveis para temperaturas de até 200ºC e se desintegram para temperaturas acima de 600ºC. Também foram observados gaps ópticos de energia diretos e indiretos que mostraram valores diferentes da literatura e podem estar ligados ao método utilizado para obter a absorção de energia em que se utilizou a água como solvente para solubilizar com a amostra. Os valores obtidos do gap óptico de energia variam de 0,67 a 4,0 eV para o gap indireto e 4,1 a 5,4 eV para o gap direto.