Comportamento relaxador da hexaferrita de bário modificadas com íons de La 3+ e Al 3+

• Ano de defesa: 2019
• Autor(a) principal: Catique, Luã da Costa
• Outros Autores: http://lattes.cnpq.br/2410599984009422
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal do Amazonas; Instituto de Ciências Exatas; Brasil; UFAM; Programa de Pós-graduação em Física
• Palavras-chave em Português: Condutividade elétrica; Rietveld, Método de; CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA; Propriedades elétricas; Mecanismo de polarização; Modelo de Dyre; Mecanismo de condutividade; Hopping dos elétrons; Modelo de Havrialiak-Negami; Relaxação dielétrica; Função de Kohlrausch-Williams-Watts; Ajustes das curvas
• Link de acesso: https://tede.ufam.edu.br/handle/tede/7564

As hexaferritas Ba 0.9 La 0.1 F e 12−y O 19 modificadas com Al 3+ e La 3+ foram sintetizadas pelo método cerâmico convencional. Em temperatura ambiente o refinamento Rietveld e difração de raios X confirmaram a formação de estrutura hexaferrita tipo M. O comportamento das propriedades elétricas; impedância, permissividade, módulo elétrico e condutividade foram analisadas através do modelo de relaxação dielétrica obtidos mediante a técnica de espectroscopia de impedância. Os parâmetros da relaxação; tempo de relaxação e parâmetros de correlação são obtido usando o ajuste das curvas do módulo elétrico e a condutividade usando o modelo de Havrialiak-Negami e de domínios aleatório de Dyre, respectivamente. Comparação destes parâmetros são feitos através da análise no domínio da frequência e do tempo. Os resultados obtidos indicam a aparição de um processo de relaxação dipolar na hexaferrita de bário pura, e um processo de relaxação interfacial devido à acumulação de portadores de cargas em interface entre grãos e contornos de grãos do tipo Maxwell-Wagner-Sillar na hexaferrita de bário modificadas com íons de La 3+ na concentrações de 0.1 e 0.6 à temperatura ambiente. Para o caso do sistema cerâmico Ba 0.9 La 0.1 F e 12−y O 19 aparece só o processo de relaxação interfacial a temperatura ambiente. O pico de relaxação, assim como os parâmetros dependem da concentração do íons de Al 3+ . A condutividade aumenta para as menores concentrações, inferior a 0.6 do íon Al 3+ , para valores entre 0.6 e 0.8 a condutividade diminui e para concentrações superiores a 0.8 a condutividade é próxima à obtida para a cerâmica BaM La 0.1 . O modelo de Dyre apresenta um bom ajuste sobre o comportamento da condutividade, com valor do desvio quadrático médio superior a 0.99, quando existe condutividade por hopping dos elétrons. Em todos os casos existe aumento da condutividade com relação à hexaferrita pura o qual indica a potencialidade destes sistemas como absorvedores de radiação eletromagnética. As hexaferritas são visadas pelas pesquisas devidas as suas propriedades multiferróicas e como materiais absorvedores de radiações eletromagnéticas na faixa das micro-ondas, pesquisas desenvolvida atualmente em nosso grupo.