Análise do comportamento dos perfis de raio Gama, potencial espontâneo e eletroresistividade para determinação das zonas aquíferos em poços tubulares

• Ano de defesa: 2006
• Autor(a) principal: Bento, Fabíola Tavares
• Outros Autores: http://lattes.cnpq.br/7942960024004391
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal do Amazonas; Instituto de Ciências Exatas; BR; UFAM; Programa de Pós-graduação em Geociências
• Palavras-chave em Português: Perfis geofísicos de resistividade; Perfis de raio Gama; Fluidos de perfuração; Difratomentria de raios X; Zonas aquíferas; Poços tubulares; Geophysical approaches; Difratometry of rays X; CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: GEOCIÊNCIAS
• Link de acesso: http://tede.ufam.edu.br/handle/tede/3256

Métodos geofísicos são comumente usados para mapear e identificar zonas aquíferas, otimizando a elaboração de projetos de poços tubulares, que tem como escopo a explotação de água subterrânea. Dentre os diversos métodos existentes, a resistividade elétrica, a radiometria e o potencial eletroquímico das formações rochosas são classicamente utilizados na determinação das seções filtrantes de poços tubulares semi-artesianos. Esta pesquisa teve por objetivo efetuar estudos comparativos dos traços dos perfis geofísicos de resistividade, potencial espontâneo e raios gama, com o escopo principal de pesquisar a(s) causa(s) que justificasse(m) o fato de que, em praticamente todas as perfilagens geofísicas que utilizam estes três métodos, há fatores desconhecidos operantes que mascaram o traço do perfil geofísico, de maneira tal que a configuração deste traço, representando as características litológicas atravessadas, diferem dos resultados esperados, tendo como base a conceituação teórica. Foram utilizadas amostragens de componentes e fluidos, os quais foram analisados por difratometria de raios X e os resultados obtidos comprovaram a influência do fluido utilizado na perfuração de poços no comportamento dos perfis geofísicos de eletroresistividade e potencial espontâneo.