Estudo da fotoluminescência do Ga2O3 contendo a impureza Cr3+
Ano de defesa: | 2023 |
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Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Universidade do Estado do Rio de Janeiro
Centro de Tecnologia e Ciências::Instituto de Física Armando Dias Tavares Brasil UERJ Programa de Pós-Graduação em Física |
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | http://www.bdtd.uerj.br/handle/1/20998 |
Resumo: | Neste trabalho foi feito um estudo da fotoluminescência do β-Ga2O3 em função da concentração da impureza Cr3+. As amostras foram sintetizadas por reação do estado sólido com 0,1%, 1% e 5% de Cr3+ . As propriedades ópticas foram investigadas através de medidas de fotoluminescência e excitação da fotoluminescência na temperatura ambiente e na pressão atmosférica. Nos experimentos de fotoluminescência foram identificadas as linhas R, que são características da transição 2E(2G) → 4A2(4F) do Cr3+ em sítio octaédrico, sobrepostas à uma larga e intensa banda na região do infravermelho próximo, característica da transição 4T2 (4F) → 4A2(4F) do Cr3+ em sítio octaédrico. Nas medidas de excitação da fotoluminescência foram identificadas as transições 4A2(4F) → 4T1(4F) e 4A2(4F) → 4T2(4F) que são duas bandas na região do espectro eletromagnético visível. Os espectros de fotoluminescência e de excitação foram analisados e interpretados de acordo com a Teoria do Campo Cristalino e com o diagrama de Tanabe-Sugano para íon com configuração eletrônica d3 . Os parâmetros de Campo Cristalino Dq e B foram calculados a partir das soluções das matrizes de Tanabe-Sugano. O tempo de decaimento para a amostra contendo 0,1% de Cr3+ foi de 0,22 ms e para a amostra contendo 1% de Cr3+ foi de 0,11 ms, característico do Cr3+ em sítios octaédricos. |