Evaluation of system-level impacts of a persistent main memory architecture

• Ano de defesa: 2012
• Autor(a) principal: Perez, Taciano
• Orientador(a): Rose, César Augusto Fonticielha de
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: eng
• Instituição de defesa: Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Ciência da Computação
• Departamento: Faculdade de Informáca
• País: BR
• Palavras-chave em Inglês: INFORMÁTICA; MEMÓRIA DE COMPUTADOR; ARQUITETURA DE COMPUTADOR
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::CIENCIA DA COMPUTACAO
• Link de acesso: http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/5173

Por cerca de 30 anos, os sistemas de memória computacional têm sido essencialmente os mesmos: tecnologias de memória volátil de alta velocidade como SRAM e DRAM utilizadas para caches e memória principal; discos magnéticos para armazenamento persistente; e memória flash, persistente e de baixa velocidade, para armazenamento com características de baixa capacidade e baixo consumo de energia, tais como dispositivos móveis e embarcados. Hoje estão emergindo novas tecnologias de memória não-volátil, que prometem mudar radicalmente o cenário de sistemas de memória. Neste trabalho são avaliados impactos (em nível de sistema) de latência e energia supondo um computador com memória principal persistente usando PCRAM e Memristor. Os resultados experimentais suportam a viabilidade de se empregar tecnologias emergentes de memória não-volátil como memória principal persistente, indicando que as vantagens de consumo de energia com relação a DRAM devem ser significativas. Esse estudo também compara o desenvolvimento de aplicações usando tanto uma abordagem tradicional usando sistema de arquivos quanto utilizando um framework específico para persistência em memória. Conclui-se que, para colher os principais benefícios potencialmente oferecidos por memória principal persistente, é necessário utilizar novas abordagens de programação que não estabelecem uma separação entre memória volátil e armazenamento secundário.