[en] HIGH SPEED SEMICONDUCTOR AND FR-4 INTEGRATED WAVEGUIDE

• Ano de defesa: 2013
• Autor(a) principal: VANESSA PRZYBYLSKI RIBEIRO MAGRI
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] CIRCUITOS INTEGRADOS; [pt] SUBSTRATOS CERAMICOS; [pt] FR-4; [pt] SIGE; [pt] GAAS; [pt] SUBSTRATOS SEMICONDUTORES; [pt] 100 GIGA BIT ETHERNET; [pt] GUIAS DE ONDA PLANARES
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=21705&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=21705&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.21705

[pt] Este trabalho de Tese apresenta a pesquisa e desenvolvimento de conexões de ondas guiadas sobre substratos semicondutores (SiGe, GaAs). A integração de circuitos digitais através de guias S-SIWG (Semiconductor Substrate Integrated Waveguide) utilizando formato de modulação QAM é avaliada e destacada. Conexões internas aos chips e entre chips são associadas com o novo padrão Gigabit Ethernet 802.3ba operando na taxa de 100 Gbit/s estendendo-se a aplicações de 0,5 – 1,5 Terahertz. É também apresentada a pesquisa e o desenvolvimento de guias e dispositivos de microondas utilizando substratos de baixo custo e altas perdas (FR-4), substratos cerâmicos de alta constante dielétrica (Er igual a 80) e aplicações em subsistemas híbridos integrados.