[pt] ESTUDO DAS CARACTERÍSTICAS DE MODULADORES DE AMPLITUDE FABRICADOS COM ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS INALAS/INGAAS E ALGAAS/GAAS MQW

• Ano de defesa: 2005
• Autor(a) principal: MARIA CRISTINA LOPEZ AREIZA
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] DISPOSITIVOS OPTOELETRONICOS; [pt] MQW; [pt] CAMPO PROXIMO; [pt] MODULADORES DE ELETROABSORCAO; [en] OPTOELETRONIC DEVICES; [en] MQW; [en] NEAR FIELD; [en] ELECTROABSORPTION MODULATOR
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6857&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=6857&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.6857

[pt] No presente trabalho de tese, se faz uma avaliação de moduladores de amplitude baseados no efeito de electro-absorção. As estruturas usadas para a fabricação dos dispositivos foram estruturas com poços quânticos múltiplos de InAlAs/InGaAs e AlGaAs/GaAs. As estruturas de InAlAs/InGaAs foram projetadas para trabalhar na faixa comercial das telecomunicações (1.55 µm). Por isto a importância de aperfeiçoar os parâmetros de desempenho do dispositivo, tais como Stark shift, chirp, razão de contraste, perda por inserção, entre outros. Um estudo sistemático prévio destas estruturas foi realizado por Pires [Pires,1998]. Ele propõe variar a concentração de gálio na liga para produzir uma leve tensão na estrutura e modificar desta forma as propriedades ópticas do material. O estudo de [Pires,1998] propôs uma faixa de valores para variar a concentração de gálio (entre 46 por cento e 52 por cento) onde pode ser encontrada a melhor condição de operação do dispositivo. Cabe a esta tese aprofundar o estudo nesta faixa de valores, e decidir os parâmetros mais adequados para operação. No referente às estruturas de AlGaAs/GaAs, se toma como partida uma proposta teórica de [Batty et al, 1993], e estudada posteriormente por [Tribuzy, 2001], onde se sugere usar finas camadas de dopagem delta nos poços de GaAs para melhorar o deslocamento Stark em 87% para um campo aplicado de 40 kV/cm. O dispositivo foi desenhado e fabricado, obtendo-se um valor de 78 por cento para o mesmo campo aplicado, resultado relevante, pois é a verificação experimental de uma proposta teórica.