[pt] FOTODETECTOR DE DUAS CORES BASEADO EM SUPER-REDE ASSIMÉTRICA

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2020
Autor(a) principal: VITOR BENTO DE SOUSA
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: MAXWELL
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=49584&idi=1
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=49584&idi=2
http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.49584
Resumo: [pt] Dispositivos opto-eletrônicos são elementos semicondutores que convertem radiações eletromagnéticas em corrente elétrica, e vice e versa. Os fotodetectores são dispositivos desse tipo, os quais possuem grande relevância na atualidade, devido a suas diversas aplicações. As pesquisas atuais se concentram no estudo de fotodetectores à base de poços quânticos para operar no infravermelho médio (2-20 m), mais especificamente em super-redes. No presente trabalho foi desenvolvido um fotodetector de duas cores baseado em super-redes assimétricas. O fotodetector construído possui uma rede com duas sessões. A primeira sessão tem cinco poços quânticos e cinco barreiras com 2 nm e 3.5 nm de espessura, respectivamente. A segunda sessão possui cinco poços quânticos e cinco barreiras de 2 nm e 7 nm de espessura, respectivamente. Entre as seções existe um poço quântico de 2.5 nm. O material que forma os poços quânticos é de InGaAs e o material das barreiras é de AlInAs. Esse dispositivo foi capaz de operar como um fotodetector de duas cores operando no modo fotovoltaico detectando radiações de 309 meV e 415 meV. O dispositivo foi capaz de operar em altas temperaturas. A temperatura máxima de operação foi de 245 K. Além disso, ao se aplicar tensões no dispositivo, é possível selecionar a radiação a ser detectada pelo fotodetector. Sendo elas 309 meV ou 415 meV.