[pt] ESTUDO DA INCORPORAÇÃO DE FÓSFORO EM GRAFENO CRESCIDO POR CVD USANDO TRIFENILFOSFINA COMO PRECURSOR

• Ano de defesa: 2015
• Autor(a) principal: GIL CAPOTE MASTRAPA
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] RAMAN; [pt] CVD; [pt] FOSFORO; [pt] DOPANTE; [pt] GRAFENO; [en] RAMAN; [en] CVD; [en] PHOSPHORUS; [en] DOPANTS; [en] GRAPHENE
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=24241&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=24241&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.24241

[pt] Neste trabalho foram obtidos filmes de grafeno usando um precursor sólido, a Trifenilfosfina, num processo de deposição química na fase vapor em alto vácuo (HVCVD). A microscopia eletrônica de Varredura permitiu observar a presença de pequenas regiões inomogêneas na superfície das amostras crescidas. Estas regiões foram observadas na microscopia antes e após o processo de transferência da folha de cobre para o substrato de silício oxidado. Medidas realizadas por XPS permitiram comprovar a incorporação de fósforo no filme crescido. A espectroscopia Raman foi usada para determinar a temperatura de trabalho adequada no sistema de crescimento. A presença de grafeno foi confirmada em todas as amostras, mas observou-se que, em geral, a quantidade de defeitos nas amostras cresceu com o aumento da massa do precursor utilizado no crescimento. Os resultados obtidos são discutidos à luz de recentes trabalhos teóricos que tratam do uso da técnica Raman no estudo de defeitos em grafeno.