[en] SYNTHESIS OF GALLIUM NITRIDE POWDER FROM GAS-SOLID REACTION USING CARBON AS REDUCING AGENT

• Ano de defesa: 2003
• Autor(a) principal: BRUNO CAVALCANTE DI LELLO
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: MAXWELL
• Palavras-chave em Português: [pt] NITRETO DE GALIO; [pt] PROCESSO DE NITRETACAO; [pt] REACOES GAS-SOLIDO; [en] GALLIUM NITRIDE; [en] NITRIDING PROCESS; [en] GAS-SOLID REACTIONS
• Link de acesso: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=4002&idi=1; https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=4002&idi=2; http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.4002

[pt] O nitreto de gálio (GaN) é um dos mais interessantes e promissores materiais para aplicação em dispositivos óptico- eletrônicos. GaN pode ser usado para a fabricação de diodos e lasers azuis. O desenvolvimento deste tipo de material está relacionado com três campos principais: 1) deposição de camadas de GaN cristalino; 2) produção de nano- filamentos a partir de reações confinadas no interior de nanotubos de carbono; 3) síntese de GaN em pó por diferentes métodos químicos. Recentemente, novas técnicas de deposição adotaram a sublimação de pós de GaN como fonte de gálio para a produção de nanofilamentos de GaN, filmes finos ou cristais. Estes métodos de sublimação mostram a necessidade do emprego de pós de GaN. No presente trabalho, é apresentada uma nova rota para a produção de pós de GaN a partir da reação gás-sólido entre Ga2O3 e NH3(g) utilizando o carbono como agente redutor no interior de um novo tipo de reator, disposto verticalmente. A partir desta rota obteve-se pós de GaN com conversões aproximadamente de 100% e com estrutura cristalina hexagonal. A quantidade de GaN obtida variou de acordo com os parâmetros experimentais adotados. Através de uma análise estatística foi possível determinar a influência da temperatura, razão molar de carbono/Ga2O3 e do tempo experimental sobre a taxa de produção de GaN.