Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa:	2016
Autor(a) principal:	Vale, Agamenon Lima do
Orientador(a):	Não Informado pela instituição
Banca de defesa:	Não Informado pela instituição
Tipo de documento:	Dissertação
Tipo de acesso:	Acesso aberto
Idioma:	por
Instituição de defesa:	Pontifícia Universidade Católica de Goiás Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção Brasil PUC Goiás Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
Programa de Pós-Graduação:	Não Informado pela instituição
Departamento:	Não Informado pela instituição
País:	Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:	Semicondutores, sulfeto de zinco, mobilidade. ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE PRODUCAO
Link de acesso:	http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603
Resumo:	Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB.

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