Estudo do efeito do tipo de dopagem no Carbeto de silício para aplicação na indústria de semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa:	2020
Autor(a) principal:	Vasconcelos, Jackelinne Lares
Orientador(a):	Não Informado pela instituição
Banca de defesa:	Não Informado pela instituição
Tipo de documento:	Dissertação
Tipo de acesso:	Acesso aberto
Idioma:	por
Instituição de defesa:	Pontifícia Universidade Católica de Goiás Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção Brasil PUC Goiás Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
Programa de Pós-Graduação:	Não Informado pela instituição
Departamento:	Não Informado pela instituição
País:	Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:	Semicondutores; carbeto de silício; SiC; mobilidade Semiconductors; silicon carbide; SiC; mobility Engenharias: Engenharia de Produção
Link de acesso:	http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4473
Resumo:	Neste trabalho estudamos o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p ou n, utilizando uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado, da temperatura e do tipo de dopagem (p ou n) foi analisada. Obtemos que a maior mobilidade ocorre quando o semicondutor 4H-SiC é dopado tipo n, com a direção do campo elétrico perpendicular ao eixo c do cristal

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