Simulação de transientes elétricos durante processos de solda anódica

• Ano de defesa: 2006
• Autor(a) principal: Fabiana Ferreira Paes
• Orientador(a): Maurício Fabbri
• Banca de defesa: José Roberto Sbragia Senna, João Roberto Moro
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação do INPE em Computação Aplicada
• País: BR
• Resumo em Inglês: The present work describes a stable numeric discretization of the ionic non-linear transport equations that governs the depletion layer dynamics for oxide growth during electrostatic bonding (anodic bonding) glass-silicon, in the absence of carrier diffusion. The continuity equation is solved by a moving-boundary stable finite-difference discretization, which takes into account distinct anion and cation species within the glass. Oxygen feeding into the silicon matrix is also modeled by suitable conditions on charge continuity and mobility drift. On the assumption that the oxygen required for bonding is supplied from the depleted glass layer, the resulting oxide thickness agrees to the values which are observed in practical bonding procedures. The numerical scheme allows for independent mobilities in the glass and oxide regions, and can handle high non-linear models for electric field.
• Link de acesso: http://urlib.net/sid.inpe.br/MTC-m13@80/2006/11.07.14.09

Este presente trabalho descreve um processo de discretização numérica da equação não linear do transporte iônico que rege a camada de depleção para o crescimento do óxido de silício durante a solda eletrostática (solda anódica) silício-vidro (Si-G) na ausência do transporte difusivo com evolução no tempo. A equação da continuidade é resolvida usando uma discretização em diferenças finitas com fronteira móvel, que toma espécies distintas de ânions e cátions no interior do vidro. O oxigênio que alimenta a matriz do silício, também é modelado por uma suposição conveniente sobre a continuidade da carga e sua mobilidade. A partir da suposição que o oxigênio necessário para a solda é suprido da camada de depleção no vidro, os resultados da espessura do óxido de silício aproximaram-se razoavelmente dos valores observados nos processos práticos de soldas. O esquema numérico emprega mobilidades independentes no interior do vidro e do óxido, e pode tratar modelos não-lineares para o campo elétrico.