Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturas

• Ano de defesa: 2010
• Autor(a) principal: Ribeiro, F. P.
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/507

Este trabalho apresenta estudos iniciais referentes ao comportamento de um inversor lógico SOI MOSFET operando desde a temperatura ambiente à temperatura de 300ºC. Os resultados apresentados neste trabalho foram obtidos através do simulador ATLAS e simulador SPICE ICAP4, onde foram analisados parâmetros como variação da temsão de limiar de um transistor, variação da tensão de saída pela tensão de entrada e corrente que flui pelo inversor. Todas as simulações levaram em consideração o efeito da elevação da temperatura de 27ºC à temperatura de 300ºC, tanto em análise do comportamento estático DC como no comportamento dinãmico AC. A evolução do estudo ocorre desde a apresentação da tecnologia SOI, assim como os efeitos causados pela elevação da temperatura em cada dispositivo. Logo em seguida são apresentados os cálculos para a construção do inversor lógico. Também são apresentados os efeitos causados pela alteração das dimensões geométricas dos canais dos dispositivos, obtendo-se assim o efeito causado pela elevação da temperatura de 27ºC a 300ºC. As simulações mostram que o inversor lógico apresenta comportamento diveros no que tange às curvas de transferência estática de tensão e corrente que flui pelo inversor para cada comprimento de canal dos transistores que o formam. Curvas de tensão de saída pela tensão de entrada foram obtidas para diversas relações de comprimentos de canal assim como a curva da corrente que atravessa o inversor. Também foram efetuados estudos sobre o comportamento do inversor em tensão alternada variando-se as dimensões dos dispositivos, temperatura e frequência de operação. a partir dos resultados obtidos, verificou-se que a elevação da temperatura tem grande efeito no funcionamento de um transistor pois afeta diretamente o valor da tensão de limiar, tensão de inversão e a corrente que flui pelo mesmo, consequentemente afetando o funcionamento do inversor lógico.