Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2019 |
| Autor(a) principal: |
Feitosa, F. C. |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/3087
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Resumo: |
A frota veicular no mundo está passando por uma grande transição em sua matriz energética, principalmente porque governos e entidades estão preocupados com os altos níveis de poluição. Esta pesquisa foca no uso de transistores de grande largura de banda proibida (Wide Band Gap – WBG) fabricados em carbeto de silício (Silicon Carbide - SiC), particularmente o Transistor de efeito de campo de óxido metálico duplo difundido vertical (Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - VDMOSFET), para aplicação em tração elétrica. Trata-se de um trabalho baseado em um dispositivo em fase de inserção no mercado comercial e desenvolvido a partir de propostas de variações em dimensões e grandezas físicas, utilizando simulador numérico de dispositivos em tecnologia de desenvolvimento assistida por computador (Technology Computer-Aided Design - TCAD). Três parâmetros são focados: densidade de carga de interface, densidade de concentração de impurezas do canal e sobreposição da porta sobre o canal. Para cada um dos parâmetros foram traçadas diversas curvas de corrente de dreno versus tensão de dreno (IDS x VDS). Com estes três parâmetros são analisadas três grandezas: tensão de limiar (Vth), máxima transcondutância (máx. gm) e inclinação de sublimiar (S). Nesta pesquisa também são descritos em detalhes as características do dispositivo e os modelos matemáticos adotados para as simulações em TCAD. Este trabalho mostra a importância da eletrônica de potência para veículos elétricos (VE), qual a necessidade qual e futura dos veículos elétricos (VE) e ressalta as vantagens que o SiC VDMOSFET possui. Os dados analisados mostram que a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar aumentam com o aumento da concentração de dopantes no canal. Já para o aumento de cargas na interface, foi observado que a tensão de limiar diminui e que o mesmo ocorre quando a porta não sobrepõem-se completamente sobre o canal. A máxima transcondutância deteriorasse com o aumento da concentração de dopantes no canal em maior grau quando comparado com o aumento da carga de interface. Todavia, a não sobreposição da porta sobre o canal deteriora drasticamente a máxima transcondutância e aumenta a inclinação de sublimiar conforme a sobreposição diminui |
