Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada - Curbelo, Victor Manuel Orlando (2023)
Neste trabalho, uma técnica alternativa de crescimento epitaxial, chamada de epitaxia por migração aumentada (Migration-Enhanced Epitaxy, MEE), foi implementada para crescer GaAs. A partir de técnicas de caracterização óptica (fotoluminescência) e morfológica (microscopia de força atômica), otimizamos o crescimento de GaAs por MEE para utilizá-lo na cobertura de pontos quânticos de InAs. Ao longo deste projeto, observamos diversas propriedades do crescimento de GaAs por MEE, como o surgimento de gotas de Ga, devido à estequiometria das reconstruções de superfície do GaAs, assim como a formação posterior de defeitos estruturais nas camadas epitaxiais. Detectamos também um aumento na segregação de In ao utilizarmos a técnica MEE em vez da técnica de epitaxia por feixe molecular (Molecular Beam Epitaxy, MBE) para cobrir os pontos quânticos de InAs. Após a otimização dos principais parâmetros, usamos as melhores condições de crescimento em células solares de banda intermediária possuindo pontos quânticos de InAs na região ativa. Observamos claramente um aumento de eficiência nos dispositivos crescidos por MEE em relação àqueles crescidos por MBE, principalmente em baixas temperaturas.