Comportamento dielétrico, elétrico e estrutural das cerâmicas Mg4Nb2O9 para aplicações em circuitos de RF e microondas - Silva Filho, José Miranda da (2012)
As amostras de Mg4X2O9 (X=Nb, Ta) foram preparadas pelo método de reação de estado solido. Com o objetivo de estudar as propriedades dielétricas para aplicações em dispositivos microondas através das adições de V2O5 e Bi2O3 em diferentes porcentagens. Seram analisados os impactos dessas adições visando à melhoria de parâmetros elétricos relevantes como constante dielétrica e fator de qualidade. As adições de B2O3 e V2O5 (0, 3, 5 e 10 % em peso) foram escolhidas com intuito de investigarmos as propriedades dielétricas das cerâmicas Mg4Nb2O9 para diferentes concentrações de impurezas na amostra pura. As estruturas atômicas e a busca pela fase única foram encontradas e estudadas através de Difratometria de Raios-X (DRX). O método utilizado para a obtenção da fase desejada foi realizada através do Refinamento de Rietveld que mostrou estrutura de ordem hexagonal do tipo corumdum como um possível candidato potencial para síntese de materiais dielétricos microondas de baixa perda e materiais para camada buffer para fabricação de dispositivos de memória ferroelétrica. Além dessas importantes utilizações ele tem mostrado ser um material importante em fotoluminescência auto ativada em temperatura ambiente e em ressoadores dielétricos (DR) incorporados em uma rede de serviço de microondas excitando o com linhas de transmissão micro fita.