[pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP

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Main Author: CLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA
Publication Date: 2009
Format: Doctoral thesis
Language: por
Source: Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
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http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.13442
Summary: [pt] Nesta tese foi estudado o mecanismo de deformação mecânica de semicondutores III-V, em especial do InP, através da criação de defeitos utilizando um microscópio de força atômica e o indentador Triboscope. A liberdade de torção da ponta do AFM dificulta o controle e a reprodutibilidade dos experimentos de nanoindentação, por outro lado, através desta liberdade da técnica foi possível medir a pressão necessária para a criação das primeiras discordâncias no cristal. Foi realizado um estudo da deformação mecânica do óxido nativo presente na superfície do InP(100) e do GaAs(001) através de indentações utilizando o nanoindentador. Impressões plásticas residuais atribuídas à camada de óxido nativo foram observadas na superfície dos semicondutores. O processo de deformação plástica do InP foi estudado a partir de nanoindentações utilizando uma ponta Berkovich e uma ponta conosférica. O processo de deformação do InP com a ponta Berkovich apresenta descontinuidades para indentações realizadas com altas forças que são associadas a sucessivos escorregamentos de planos {111} seguidos de travamento das discordâncias. A distribuição de pressão na região indentada para a ponta conosférica é isotrópica, permitindo uma melhor visualização da transição elástico/plástico da deformação do material. Para essa ponta a deformação plástica do InP é iniciada com um evento catastrófico, que aparece nas curvas de indentação como uma descontinuidade. Foram observadas características ao redor das indentações, indicando o aparecimento de discordâncias na superfície do cristal. Microscopia eletrônica de transmissão foi utilizada para a observação das seções transversais das indentações que apresentaram alta densidade de discordâncias formadas pelos planos {111} escorregados.
id PUC_RIO-1_bc10b6fe7f355eececac17bd519a079b
oai_identifier_str oai:MAXWELL.puc-rio.br:13442
network_acronym_str PUC_RIO-1
network_name_str Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
repository_id_str 534
spelling [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP [en] CHARACTERIZATION OF MECHANICAL DEFECTS PRODUCED BY NANOINDENTATION IN INP [pt] FISICA[pt] NANOINDENTACAO[pt] MICROSCOPIA DE FORCA ATOMICA[en] PHYSICS[en] NANOINDENTATION[en] ATOMIC FORCE MICROSCOPY[pt] Nesta tese foi estudado o mecanismo de deformação mecânica de semicondutores III-V, em especial do InP, através da criação de defeitos utilizando um microscópio de força atômica e o indentador Triboscope. A liberdade de torção da ponta do AFM dificulta o controle e a reprodutibilidade dos experimentos de nanoindentação, por outro lado, através desta liberdade da técnica foi possível medir a pressão necessária para a criação das primeiras discordâncias no cristal. Foi realizado um estudo da deformação mecânica do óxido nativo presente na superfície do InP(100) e do GaAs(001) através de indentações utilizando o nanoindentador. Impressões plásticas residuais atribuídas à camada de óxido nativo foram observadas na superfície dos semicondutores. O processo de deformação plástica do InP foi estudado a partir de nanoindentações utilizando uma ponta Berkovich e uma ponta conosférica. O processo de deformação do InP com a ponta Berkovich apresenta descontinuidades para indentações realizadas com altas forças que são associadas a sucessivos escorregamentos de planos {111} seguidos de travamento das discordâncias. A distribuição de pressão na região indentada para a ponta conosférica é isotrópica, permitindo uma melhor visualização da transição elástico/plástico da deformação do material. Para essa ponta a deformação plástica do InP é iniciada com um evento catastrófico, que aparece nas curvas de indentação como uma descontinuidade. Foram observadas características ao redor das indentações, indicando o aparecimento de discordâncias na superfície do cristal. Microscopia eletrônica de transmissão foi utilizada para a observação das seções transversais das indentações que apresentaram alta densidade de discordâncias formadas pelos planos {111} escorregados.[en] In this thesis, the mechanical deformation mechanism of semiconductors III-V was studied, especially for InP. Defects were produced by indentations using an atomic force microscope and a Triboscope nanoindenter. The AFM tip torsion during indentation difficult the control and the reproducibility of AFM nanoindentation experiments. Nevertheless, the tip torsion allowed the measurement of the materials Yield stress. A study of the mechanical deformation mechanism of the native oxide that is presented in the surface of InP (100) and GaAs (100) was done. The residual plastic impressions attributed to native oxides were observed on the semiconductors surface. The plastic deformation process of the InP was studied in nanoindentation experiments using a Berkovich and a conosferical tip. The InP deformation mechanism observed with a Berkovich tip presents discontinuities for indentations performed at high loads, that are associated with successive slip of {111} planes along the <110> directions. The pressure distribution on the indented region, applied by the conosferical tip, is isotropic allowing a better visualization of the elastic/plastic transition in a material deformation process. The plastic deformation of InP using this tip is initialized with a catastrophic event, that appears in the indentation curves as a discontinuity. Small cracks were observed around the indentations using both tips, suggesting that some dislocations loops ends on the InP surface. Bigger cracks were observed in indentations with the conosferical tip and they were attributed to material fracture produced by the locking of dislocations near the surface. Transmission electron microscopy was done in the nanoindentation cross section showing a high density of defects created by the slip of the {111} planes.MAXWELLRODRIGO PRIOLI MENEZESCLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA2009-05-11info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesishttps://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442&idi=1https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442&idi=2http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.13442porreponame:Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)instname:Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-RIO)instacron:PUC_RIOinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-09-14T00:00:00Zoai:MAXWELL.puc-rio.br:13442Repositório InstitucionalPRIhttps://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/ibict.phpopendoar:5342017-09-14T00:00Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-RIO)false
dc.title.none.fl_str_mv [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
[en] CHARACTERIZATION OF MECHANICAL DEFECTS PRODUCED BY NANOINDENTATION IN INP
title [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
spellingShingle [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
CLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA
[pt] FISICA
[pt] NANOINDENTACAO
[pt] MICROSCOPIA DE FORCA ATOMICA
[en] PHYSICS
[en] NANOINDENTATION
[en] ATOMIC FORCE MICROSCOPY
title_short [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
title_full [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
title_fullStr [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
title_full_unstemmed [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
title_sort [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INP
author CLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA
author_facet CLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv RODRIGO PRIOLI MENEZES
dc.contributor.author.fl_str_mv CLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA
dc.subject.por.fl_str_mv [pt] FISICA
[pt] NANOINDENTACAO
[pt] MICROSCOPIA DE FORCA ATOMICA
[en] PHYSICS
[en] NANOINDENTATION
[en] ATOMIC FORCE MICROSCOPY
topic [pt] FISICA
[pt] NANOINDENTACAO
[pt] MICROSCOPIA DE FORCA ATOMICA
[en] PHYSICS
[en] NANOINDENTATION
[en] ATOMIC FORCE MICROSCOPY
description [pt] Nesta tese foi estudado o mecanismo de deformação mecânica de semicondutores III-V, em especial do InP, através da criação de defeitos utilizando um microscópio de força atômica e o indentador Triboscope. A liberdade de torção da ponta do AFM dificulta o controle e a reprodutibilidade dos experimentos de nanoindentação, por outro lado, através desta liberdade da técnica foi possível medir a pressão necessária para a criação das primeiras discordâncias no cristal. Foi realizado um estudo da deformação mecânica do óxido nativo presente na superfície do InP(100) e do GaAs(001) através de indentações utilizando o nanoindentador. Impressões plásticas residuais atribuídas à camada de óxido nativo foram observadas na superfície dos semicondutores. O processo de deformação plástica do InP foi estudado a partir de nanoindentações utilizando uma ponta Berkovich e uma ponta conosférica. O processo de deformação do InP com a ponta Berkovich apresenta descontinuidades para indentações realizadas com altas forças que são associadas a sucessivos escorregamentos de planos {111} seguidos de travamento das discordâncias. A distribuição de pressão na região indentada para a ponta conosférica é isotrópica, permitindo uma melhor visualização da transição elástico/plástico da deformação do material. Para essa ponta a deformação plástica do InP é iniciada com um evento catastrófico, que aparece nas curvas de indentação como uma descontinuidade. Foram observadas características ao redor das indentações, indicando o aparecimento de discordâncias na superfície do cristal. Microscopia eletrônica de transmissão foi utilizada para a observação das seções transversais das indentações que apresentaram alta densidade de discordâncias formadas pelos planos {111} escorregados.
publishDate 2009
dc.date.none.fl_str_mv 2009-05-11
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442&idi=1
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442&idi=2
http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.13442
url https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442&idi=1
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=13442&idi=2
http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.13442
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv MAXWELL
publisher.none.fl_str_mv MAXWELL
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
instname:Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-RIO)
instacron:PUC_RIO
instname_str Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-RIO)
instacron_str PUC_RIO
institution PUC_RIO
reponame_str Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
collection Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell)
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da PUC-RIO (Projeto Maxwell) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro (PUC-RIO)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1849967237673254912