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(2015). Filmes finos de TiO2 foram crescidos sobre silício (100) através do processo de deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD). Os filmes foram crescidos a 400, 500, 600 e 700ºC em um equipamento horizontal tradicional. Tetraisopropóxido de ti.

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Filmes Finos De TiO2 Foram Crescidos Sobre Silício (100) Através Do Processo De Deposição Química De Organometálicos Em Fase Vapor (MOCVD). Os Filmes Foram Crescidos a 400, 500, 600 E 700ºC Em Um Equipamento Horizontal Tradicional. Tetraisopropóxido De Ti. 2015.

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Filmes Finos De TiO2 Foram Crescidos Sobre Silício (100) Através Do Processo De Deposição Química De Organometálicos Em Fase Vapor (MOCVD). Os Filmes Foram Crescidos a 400, 500, 600 E 700ºC Em Um Equipamento Horizontal Tradicional. Tetraisopropóxido De Ti. 2015.

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