(2015). Filmes finos de TiO2 foram crescidos sobre silício (100) através do processo de deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD). Os filmes foram crescidos a 400, 500, 600 e 700ºC em um equipamento horizontal tradicional. Tetraisopropóxido de ti.
Chicago Style CitationFilmes Finos De TiO2 Foram Crescidos Sobre Silício (100) Através Do Processo De Deposição Química De Organometálicos Em Fase Vapor (MOCVD). Os Filmes Foram Crescidos a 400, 500, 600 E 700ºC Em Um Equipamento Horizontal Tradicional. Tetraisopropóxido De Ti. 2015.
MLA CitationFilmes Finos De TiO2 Foram Crescidos Sobre Silício (100) Através Do Processo De Deposição Química De Organometálicos Em Fase Vapor (MOCVD). Os Filmes Foram Crescidos a 400, 500, 600 E 700ºC Em Um Equipamento Horizontal Tradicional. Tetraisopropóxido De Ti. 2015.