Preparação e Propriedades Elétricas e Ópticas de Cristais de Pbl2 - Barbosa, Luciara Benedita (1999)
Realizamos o crescimento de monocristais de PbI2 e de PbI2:TlI com a composição de TlI variando de 1000, 5000 e 10000ppm. Os cristais de PbI2 puro e dopado com TlI foram crescidos pela técnica de Bridgman. As características dos cristais foram determinadas por difração de raios-X, absorção óptica, fotoluminescência e análise do decaimento da corrente elétrica com tempo. A largura da banda proibida determinada para os cristais de PbI2 puro e dopado fbi de 2,3 eV. Os espectros de fotoluminescência obtidos mostraram três linhas de emissão em 2,493 eV, 2,498 eV e 2,429 eV, os quais foram associados a recombinação de excitons ligados, recombinação de excitons livres e recombinação de níveis de defeitos, respectivamente. Nós determinamos quatro principais níveis de armadilhas com 0,66 eV, 0,68 eV, 0,72 eV e 0,76 eV, a temperatura ambiente, para ambos PbI2 puro e dopado. Também determinamos a resistividade no escuro, a temperatura ambiente, e os valores foram de 1011 .cm e 1012.cm para o PbI2 puro e de 109.cm e 1010.cm para o PbI2 :TlI. Os testes de detetores de radiação ionizante, os quais foram fabricados com nossos cristais de iodeto de chumbo não mostraram resposta espectrométrica, mesmo sendo estes transparentes e de boa qualidade cristalina