Projeto de conversores resistivos de frequência na faixa de microondas. - Romão, Cláudia Celeste de Agrela Aparício (1998)
A crescente popularização dos sistemas de comunicações pessoais (PCS) móveis tem exigido o rápido desenvolvimento de componentes de pequenas dimensões, alta eficiência, confiabilidade, e baixo consumo de potência DC, para compor os blocos transceptores. A tendência atual mostra que os circuitos integrados monolíticos em Arseneto de Gálio (GaAs) têm sido cada vez mais empregados nos transceptores de microondas para tais sistemas, por apresentarem estas características, e também por terem alcançado um nível de maturidade tecnológica que garante alta produção aliada a baixo custo, como é desejável neste caso. Tendo em vista a alta capacidade de integração que pode ser obtida com esta tecnologia, os conversores de frequência utilizados nestes sistemas para converter o sinal de baixa frequência para alta frequência e vice-versa, contém normalmente, não só o misturador, mas também um pré e um pós-amplificador. O componente básico empregado no projeto destes blocos é o transistor a efeito de campo metal-semicondutor (MESFET), que realiza ambas as funções: de misturador e amplificador. Este trabalho tem como objetivo a realização do projeto de um conversor de frequências para aplicação em sistemas de comunicações pessoais. A estrutura escolhida é composta de estágios amplificadores e de filtros de entrada e saída, e de um misturador resistivo a GaAs MESFET. O projeto foi realizado desde as etapasesquemáticas e de simulação até a realizaçãodo \"lay-out\", que foi enviado para fabricação em \"foundry\" externa, em esquema multi-usuário. Os circuitos recebidos foram devidamente montados e caracterizados, e os resultados medidos foram comparados com os dados de simulação.