Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. - Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos (2005)
Este trabalho apresenta o comportamento do dispositivo SOI MOSFET de porta circundante com estrutura de canal gradual (GC GAA), que tem um perfil de concentração de dopantes assimétrico na região de canal, em comparação com o dispositivo de porta circundante SOI MOSFET com perfil de concentração de dopantes uniforme na região de canal (GAA convencional), operando em altas temperaturas (de 27°C até 300°C). Dois tipos de análises foram feitas: o impacto da variação do comprimento da região menos dopada nos dispositivos GC GAA; e o impacto da redução da espessura da camada de silício com um comprimento de canal efetivo fixo. Quanto à análise com variação da região menos dopada dos dispositivos GC GAA, foram analisados alguns parâmetros através simulações numéricas bidimensionais, e por resultados experimentais, como: tensão de limiar, transcondutância, inclinação de sublimiar, condutância de dreno, tensão Early, razão gm/IDS e ganho de tensão de malha aberta em baixa freqüência. Quanto ao estudo da variação da espessura da camada de silício, foram analisados alguns parâmetros através de simulações numéricas bidimensionais, como: tensão de limiar, transcondutância, inclinação de sublimiar, condutância de dreno e tensão Early. Verificou-se que os dispositivos GC GAAs têm uma maior tensão Early do que os dispositivos GAA convencionais, quando fixado uma espessura de camada de silício, e variando os comprimentos efetivos de canal, mostrando assim um maior ganho de malha aberta em baixa freqüência. Este aumento da tensão Early também foi observado quando foi fixado um comprimento de canal efetivo e variou-se a espessura da camada de silício. O aumento da tensão Early encontrado nos dispositivos GC GAAs, em relação aos dispositivos GAA convencionais, foi mantido mesmo quando a temperatura foi aumentada.