Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão de camadas de silicetos de ferro superficiais e enterradas formadas por técnicas de crescimento epitaxial. - Santos, Jarbas Tavares dos (1996)
Apresentamos neste trabalho a caracterização por MET de materiais empregados na microeletrônica, visando cobrir a carência da análise por MET desses materiais no Brasil. A caracterização foi executada em laminas de \'SI\', a qual foram incorporadas camadas de silicetos enterradas ou superficiais através de várias técnicas de silicetos enterradas ou superficiais, através, de várias técnicas de crescimento. As camadas enterradas no substrato de \'SI\' foram obtidas através da síntese por feixe iônico; e as superfícies por epitaxia de fase sólida e pela silicetação por pares de difusão \'FE\'-\'TI\'-\'SI\'. Para a análise por MET desenvolvemos os métodos de preparação de espécime planar e o de preparação de espécime transversal, para os quais são utilizados equipamentos específicos. Basicamente, as imagens de alta resolução e a difração eletrônica da MET foram responsáveis pela maioria dos resultados obtidos. Sua utilização mostrou a importância desta técnica na determinação das relações de orientação epitaxial entre o substrato e as camadas crescidas. Adicionalmente, com a MET pode-se visualizar a formação de precipitados no substrato e de defeitos nos grãos de siliceto formado.