Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos. - Rotondaro, Antonio Luis Pacheco (1990)
Caracterizamos um equipamento de espirramento catódico modelo eg10 da edwards high vacuum, determinando as condições de deposição que produzem filmes de titânio e cobalto de baixa resistividade e taxa de deposição adequada a obtenção de filmes de 400a, necessários para formação de siliceto. Variamos a pressão de trabalho do sistema na faixa de 3,0x\'10 POT.-3\'mbar a 60,0x\'10 POT.-3\'mbar e a potência de rf aplicada ao catodo de 400w a 1000w. A pressão de trabalho afeta a estrutura e o nível de incorporação de contaminantes dos filmes causando um mínimo de resistividade em 20,0x\'10 POT.-3\'mbar. A taxa de deposição cresce com a pressão atá saturar a partir de 30,0x\'10 POT.-3\'mbar. A potência de rf aplicada ao catodo produz o aumento da taxa de deposição associada a obtenção de um mínimo de resistividade em 800w. Monitoramos com uma sonda de langmuir a densidade de íons, a temperatura de eletron e o potencial de plasmas nas condições ensaiadas de processo. O plasma torna-se mais denso, sem que ocorra variação de seu potencial, mas com uma acentuada redução da temperatura de eletrons com o aumento da pressão. A descarga tem a sua densidade, seu potencial e a temperatura de eletrons aumentada com a potência de rf aplicada ao catodo.