Estudo teórico da transição de fase entre as estruturas diamante e \'beta\'-\'SN\' para a liga \'SI IND. 1-X\' \'GE IND. X\' - Pontes, Renato Borges (2002)
O estudo do comportamento dos mais variados materiais sob pressão, tem sido objeto de intensa pesquisa nas últimas décadas. O \'SI\' e o \'GE\', por serem úteis na construção de dispositivos eletrônicos, estão entre os mais estudados. É conhecido da literatura que o \'SI\' e o \'GE\', sob pressão, apresentam diagramas de fases semelhantes, embora para as fases métalicas, as pressões de transição de fase do \'SI\' e do \'GE\' são bem diferentes. Essas semelhanças, e ao mesmo tempo diferenças entre o \'SI\' e o \'GE\', motivam o estudo da liga \'SI IND. 1-X\' \'GE IND. X\' sob pressão. A liga \'SI\"GE\' também tem despertado interesse principalmente devido a sua aplicação em dispositivos óticos e eletrônicos. O objetivo deste trabalho é mostrar como a pressão de transição de fase se comporta em função de X, onde x é a concentração de Ge na liga. Para determinar as pressões de transição, perfizemos cálculos ab initio de energia total com o método de pseudopotenciais baseados na Teoria do Funcional da Densidade (DFT), com a aproximação da densidade local (LDA) utilizando o funcional de Ceperley-Alder para a energia de troca-correlação. Neste trabalho utilizamos uma célula unitária de 16 átomos e o método \"Special Quasirandom Structures\" (SQS) desenvolvido por Wei et al. [?] para simular a distribuição dos átomos na liga. Tais cálculos foram feitos para diferentes volumes das células unitárias das duas fases e através da construção de Gibbs (ou método da tangente comum) obtivemos as pressões de transição. Em particular, este procedimento foi aplicado para o estudo da transição de fase entre as estruturas Diamante e \'beta\'-Sn para X = 0,0625, 0,50, 0,9375, 1,0