Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1995 |
| Autor(a) principal: |
Yunaka, Nelson Takashi |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-15082024-074221/
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Resumo: |
A definição e otimização dos processos de fabricação de circuitos integrados é uma das etapas básicas essenciais para obter-se dispositivos semicondutores. É destacado a fotolitografia entre estes processos, com a qual define-se a geometria dos materiais para a construção do dispositivo sobre substratos semicondutores em escala micrométrica. Com o objetivo de estabelecer um processo litográfico e métodos para o seu controle foram estudados as características dos fotorresistes em cada etapa do processo. Usou-se o fotorresiste positivo AZ-1350J. Obteve-se espectros UV, FTIR e análise térmica do fotorresiste. Propõe-se opcções para melhorar o processo litográfico implementado no decorrer do trabalho. Um método para determinação de parâmetros que mais afetam o processo e que pode ser usado para obter-se as melhores condições destes parâmetros é também proposto. |
