Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.
Referência de acordo com a norma ChicagoSasaki, Katia Regina Akemi. Estudo De Transistores SOI MOSFETs Com Camada De Silício E óxido Enterrado Ultrafinos Operando Em Modo De Tensão De Limiar Dinâmica. 2016.
Referência de acordo com a norma MLASasaki, Katia Regina Akemi. Estudo De Transistores SOI MOSFETs Com Camada De Silício E óxido Enterrado Ultrafinos Operando Em Modo De Tensão De Limiar Dinâmica. 2016.
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