Referência de acordo com a norma APA

Fichtner, P. F. P. (1987). Alcances de ions energéticos (10 a 390 keV) implantados em silício amorfo.

Referência de acordo com a norma Chicago

Fichtner, Paulo Fernando Papaleo. Alcances De Ions Energéticos (10 a 390 KeV) Implantados Em Silício Amorfo. 1987.

Referência de acordo com a norma MLA

Fichtner, Paulo Fernando Papaleo. Alcances De Ions Energéticos (10 a 390 KeV) Implantados Em Silício Amorfo. 1987.

Nota: a formatação da citação pode não corresponder 100% ao definido pela respectiva norma, para gerenciar as citações recomenda-se a utilização do software Zotero , que permite o upload automático das referências do Oasisbr.