Estudo da difusão de intersticiais em matrizes de α-Ti - Bregolin, Felipe Lipp (2008)
O objetivo desta dissertação consiste no estudo da difusão dos intersticiais, 15N e 18O, em uma matriz de α-Ti. A motivação se origina do fato de haver na literatura resultados contraditórios sobre o comportamento difusivo destes elementos, e de estudar a influência de impurezas presentes na matriz sobre os coeficientes de difusão obtidos para átomos intersticiais. Os elementos foram introduzidos na matriz utilizando a técnica de implantação iônica. As implantações foram realizadas com os seguintes parâmetros: Para o 15N, energia de implantação foi E = 75 keV, com uma dose Φ = 6 x 1016 átomos/cm², resultando numa concentração de pico de aproximadamente 8 át. %. Para o 18O, a energia de implantação foi E = 50 keV, com uma dose Φ = 3 x 1016 átomos/cm², resultando numa concentração de pico de aproximadamente 6 át. %. Ambas as concentrações de pico estão bem abaixo do limite de solubilidade sólida dos respectivos elementos em α-Ti. A dependência do coeficiente de difusão com a temperatura foi estudada nos intervalos de temperatura de 673 a 1024 K para o 15N, e de 623 a 873 K para o 18O. Os perfis de concentração foram determinados utilizando a técnica de reação nuclear ressonante (NRA), que possui uma alta resolução em profundidade (~1nm). As medidas realizadas mostraram que, para ambos os elementos estudados, os coeficientes de difusão seguem uma representação linear de Arrhenius. A partir dela, foram encontrados os seguintes parâmetros característicos de difusão: Q = (183 ± 2) kJ/mol e D0 = (1,1 ± 0,8) x 10-7 m²/s para o 15N, e Q = (169 ± 5) kJ/mol e D0 = (2,0 ± 1,0) x 10-7 m²/s para o 18O, os quais são típicos de um comportamento intersticial normal. A comparação dos presentes resultados com os publicados anteriormente nos leva a concluir que a presença de impurezas na matriz de α-Ti influencia de forma significativa os parâmetros característicos da difusão de ambos elementos.