Estudo das propriedades eletrônicas e estruturais de filmes de In(0.5-x)AlxSb0.5 depositados por magnetron sputtering e irradiados por feixes de íons - Bolzan, Charles Airton (2018)
Filmes de In(0.5-x)AlxSb0.5 foram depositados sobre substratos de SiO2/Si, a 420°C, por co-sputtering dos alvos de InSb, Al e Sb e as suas propriedades estruturais foram investigadas com o auxílio das técnicas de Grazing incidence X-ray diffraction (GIXRD) e Rutherford backscattering spectrometry (RBS). Filmes com quatro concentrações relativas de Al (0 %,9%,15% e 18%) foram irradiados com íons de Au+6 de 14 MeV de energia e fluências no intervalo 1x1013 - 2x1014 cm-2. Para todos os filmes de In(0.5-x)AlxSb0.5, o espectro de GIXRD mostrou a formação de um composto policristalino com estrutura zincblende, de forma que, quanto maior a concentração de Al nesta liga, menor o respectivo parâmetro de rede. Quando irradiados, observou-se que é mais fácil amorfizar o composto ternário (In(0.5-x)AlxSb0.5) que os seus membros binários InSb e AlSb, sendo que neste último não foi observado nenhuma evidência de amorfização no seu padrão de difração. Além disso, por meio da microscopia eletrônica de varredura (MEV), verificou-se que essa liga ternária torna-se porosa, a partir de uma certa fluência, para todas as concentrações de Al (exceção de AlSb), de modo que a porosidade dos filmes de In(0.5-x)AlxSb0.5 diminui, para uma mesma fluência (1x1014 cm-2), segundo a concentração relativa de Al aumenta. Em relação às propriedades eletrônicas dos filmes, mostrou-se, através da técnica de X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), tanto nos filmes não irradiados como nos irradiados, que não havia ligação Al-Sb e que tinha maior quantidade relativa de oxigênio nas amostras irradiadas frente as não irradiadas.